6月23日,賽晶亞太半導(dǎo)體科技(浙江)有限公司在浙江省嘉興市嘉善縣經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行絕緣柵雙極晶體管(IGBT)生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)儀式。這標志著,其IGBT生產(chǎn)線進入試生產(chǎn)階段。
賽晶亞太半導(dǎo)體科技(浙江)有限公司隸屬于賽晶科技集團有限公司。賽晶集團的創(chuàng)始人、現(xiàn)任董事會主席項頡表示:“一旦公司產(chǎn)品批量供貨,項目產(chǎn)能釋放,就會迅速幫助市場與企業(yè)解決缺貨問題,緩解國內(nèi)供需失衡的現(xiàn)狀。”
據(jù)了解,目前中國處于功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)鏈的相對末端,產(chǎn)品以二極管、晶閘管、低壓MOSFET等低功率半導(dǎo)體器件為主,中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%,而功率半導(dǎo)體是未來可預(yù)見的本土替代進度最快的細分領(lǐng)域之一。
MOSFET和IGBT等功率器件正逐漸成為主流,其中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),被視為電力領(lǐng)域的“CPU”,對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保等眾多國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,具有重要意義。國家“十四五”規(guī)劃將IGBT列為了亟待攻關(guān)的科技前沿領(lǐng)域之一。
賽晶科技于2019年3月正式啟動了自主技術(shù)IGBT項目。隨后,2019年7月賽晶IGBT項目正式簽約落戶嘉善,2020年6月賽晶IGBT生產(chǎn)基地動工建設(shè),同年9月賽晶首款I(lǐng)GBT芯片和模塊產(chǎn)品正式推出。
據(jù)了解,賽晶科技IGBT項目規(guī)劃建設(shè)2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線、5條IGBT模塊封裝測試生產(chǎn)線,建成后年產(chǎn)能將達到200萬件IGBT模塊產(chǎn)品。該公司IGBT產(chǎn)品應(yīng)用將涵蓋600V至1700V的中低壓領(lǐng)域,面向電動汽車、光伏風(fēng)電、工業(yè)變頻等市場。
項頡對記者表示:“賽晶科技將加快IGBT系列產(chǎn)品的研發(fā),推進后續(xù)生產(chǎn)線的建設(shè),力爭盡早讓賽晶品牌IGBT出現(xiàn)在千千萬萬的電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、工業(yè)變頻設(shè)備中。”
項頡向媒體指出,作為世界范圍內(nèi)電力電子技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)的領(lǐng)先企業(yè),賽晶科技正力爭實現(xiàn)“功率半導(dǎo)體及配套器件”和“新興電力技術(shù)”兩大產(chǎn)業(yè)集群的快速發(fā)展。