不過(guò)，不少架構(gòu)細(xì)節(jié)已經(jīng)被扒了出來(lái)。
這是Zen4單個(gè)核心的內(nèi)部布局圖，可以看到浮點(diǎn)單元、調(diào)度單元、分支預(yù)測(cè)單元、載入/存儲(chǔ)單元、解碼單元、TLB、uOP微操作緩存、一級(jí)指令和數(shù)據(jù)緩存、二級(jí)緩存。
對(duì)比來(lái)看，Zen4相比于Zen3不變的有一/三級(jí)緩存容量、發(fā)射寬度、浮點(diǎn)寬度等，變化的則有微操作緩存從4KB增至6.75KB，每核心二級(jí)緩存從512KB翻番至1MB，二/三級(jí)緩存延遲從12/46循環(huán)變成14/50循環(huán)，ROB、L1 BTB也變大了。
Zen4 CCD部分采用臺(tái)積電5nm工藝，面積70平方毫米，相比7nm Zen3 83平方毫米縮小了15.7%，但集成度更高，晶體管數(shù)量從41.5億猛增到65.7億，增加了足足58%。
IOD部分從GF 12nm升級(jí)為臺(tái)積電6nm，并集成了Zen3+銳龍6000H/U系列同款的部分電源管理功能、RDNA2架構(gòu)的GPU圖形核心(2單元)，還有DDR5內(nèi)存控制器、PCIe 5.0控制單元。
IOD的面積為124.7平方毫米，和Zen3 IOD 124.9平方毫米幾乎一模一樣。
僅從晶體管數(shù)量、核心面積上看，臺(tái)積電工藝確實(shí)相當(dāng)神。
標(biāo)簽： 光臺(tái)積電5nm工藝相當(dāng)神 調(diào)度單元 解碼單元
