回顧中國的近代史并不是那么漂亮，甚至給了所有中國人一個慘痛的教訓(xùn)。近些年來，中國也一直在完善自己、讓自己變得更加強大，為此中國在各個領(lǐng)域也是十分努力想要做到最好，盡管并沒有樣樣拔尖，但是中國的綜合國力的提升也是有目共睹的。畢竟中國在不少技術(shù)領(lǐng)域都起步較晚，當(dāng)中國在一些行業(yè)迅速發(fā)展時，總會借助其他國家的一些技術(shù)來進行合作，但總歸別人的技術(shù)，中國也是想要做到真正的獨立自強，所以也從未放棄過研究出獨屬于自己的一些技術(shù)。
半導(dǎo)體在如今這個高科技的時代是十分重要的，而在此之前我國的半導(dǎo)體大多都是從國外引進，為此我國也是下了不少功夫。經(jīng)過了刻苦的鉆研，我國的最大快閃存儲器制造商長江存儲表示預(yù)計今年就可以試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片了，而具體時間可能確定在今年的下半年。
近期日媒就報道了這一消息，而這消息一出在國際上就激起了不小的浪花。192層的3D NAND閃存芯片是個什么概念呢?只能舉例表示三星正在研發(fā)的目標(biāo)是172層的3D NAND 閃存芯片，而美光的目標(biāo)則是176層。就以這幾個數(shù)字來看，長江存儲的技術(shù)已經(jīng)遠遠領(lǐng)先那些巨頭企業(yè)了。雖說其技術(shù)是先進了不少，但是卻還是有一些不足之處的，192層3D NAND閃存芯片的良品率與三星等巨頭企業(yè)還是不能比的，其產(chǎn)能也并不高，希望長江存儲在這些方面還要多多努力。
為了研發(fā)屬于自己的、高于現(xiàn)有技術(shù)的192層3D NAND閃存芯片，中國也是投進去了1550億的資金，可想而知中國對此有多么重視。近些年來，美國一直在半導(dǎo)體技術(shù)上對中國有著壓制，而中美關(guān)系也一直處于緊張狀態(tài)，所以要想我國長久且更好地發(fā)展下去就必須將高技術(shù)緊緊握在自己手里才安全。如今長江存儲的技術(shù)突破簡直是為中國打破外國技術(shù)壟斷的一大勝利，這也讓不少國內(nèi)行業(yè)都松了一口氣，終于不用再看美國的眼色了。
標(biāo)簽： 1550億
