光刻機是芯片制造的核心環(huán)節(jié)，之所以被譽為工業(yè)皇冠上的明珠，不僅是由于它的單價高達上億美元，更是由于它的構(gòu)成極為精密和復(fù)雜。曾有人比喻過光刻機的光刻原理，就相當于兩架同時高速飛行的飛機，其中一架在另一架上按照設(shè)計好的線圖進行刻畫。

以目前最先進的EUV光刻機來說，其核心元器件不下10萬個，雖然只有荷蘭的ASML能夠生產(chǎn)，可有約90%左右的技術(shù)零件都是來自其他國家。比如德國的蔡司光源，日美的光刻膠等等。

在華為等國產(chǎn)企業(yè)被老美斷供芯片之時，我們就決定自己造芯，首先的難點就是EUV光刻機。

雖然ASML曾放出大話表示，即便給我們圖紙，我們也造不出來。但是要知道，哪怕是再尖端的技術(shù)設(shè)備，都是人造的，而非神造的。我們自然也不會因為EUV光刻技術(shù)的研發(fā)難度而不戰(zhàn)自退。

若想完成這個龐然大物的研發(fā)，首先就要從它最核心的技術(shù)和材料入手。

自中科院等國內(nèi)頂尖科研機構(gòu)宣布入局光刻研發(fā)任務(wù)中后，我國在光刻技術(shù)領(lǐng)域有了不少實質(zhì)性的進展。

前段時間，清華大學(xué)傳來好消息，宣布開發(fā)完成了光源技術(shù)，波長可以從太赫茲波段覆蓋到極紫外光波段。要知道EUV光刻機的另一個名字是極紫外光刻機，極紫外光源是其最核心的技術(shù)之一。

這意味著清華大學(xué)自研的光源技術(shù)可以直接應(yīng)用到EUV光刻機上，我們對于EUV光刻機的研發(fā)幾乎成功了一半。

在舉國之力研發(fā)光刻技術(shù)的大環(huán)境下，除了清華大學(xué)傳來的好消息，近日，國產(chǎn)科技企業(yè)也宣布了一項重大突破。

近日，上海新陽半導(dǎo)體材料公司正式宣布，突破了193nm Arf干法高端光刻膠的研發(fā)。

從產(chǎn)業(yè)分類來看，目前半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠可分為四類，分別是g線、i線、Krf、Arf四類。其中g(shù)線、i線光刻膠屬于中低端產(chǎn)品，國內(nèi)工藝已經(jīng)成熟，但Krf、Arf這兩種高端光刻膠卻一直被日美的企業(yè)所壟斷著。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，上海新陽在高端光刻膠領(lǐng)域的突破要得益于從ASML購買的DUV-1400光刻機。事實上，在去年蘇州晶瑞從ASML買到一臺二手光刻機后，也已展開了對光刻膠的研發(fā)。

不過從市場規(guī)模和技術(shù)積累來看，上海新陽被專家們一致認為是最有可能率先在高端光刻膠方面實現(xiàn)量產(chǎn)的中國企業(yè)。

從上海新陽的光刻膠項目發(fā)展規(guī)劃來看，Arf光刻膠在明年便可實現(xiàn)少量銷售，在2023年能大規(guī)模量產(chǎn)，進入實際商用階段。

除了光源、光刻膠技術(shù)的突破之外，國內(nèi)科技企業(yè)與科研機構(gòu)在EDA軟件、數(shù)控機床等多項半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵領(lǐng)域同樣有不小的成果，經(jīng)歷過“卡脖子”之痛后，我們的目標已經(jīng)不僅僅局限在芯片和光刻設(shè)備上了，而是建立自主技術(shù)生態(tài)，徹底擺脫對美國的依賴。

老美在以舉國之力打壓華為等中企之時，涉及到的芯片和EUV光刻機只是引線罷了，其真實目的是想遏制我國高科技的發(fā)展。在這樣的情況下，我們要做的就是團結(jié)起來發(fā)起反擊，這場科技博弈仍在繼續(xù)，相信最終的勝者一定會是我們!

標簽： EUV光刻機