5月28日，在2023中關村論壇“北京（國際）第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領域液相法碳化硅襯底生產(chǎn)、特思迪減薄-拋光-CMP設備生產(chǎn)二期、銘鎵半導體氧化鎵襯底及外延片生產(chǎn)項目等6個產(chǎn)業(yè)項目簽約，預計總投資近18億元。而正是第三代半導體技術，為我國產(chǎn)業(yè)鏈進一步升級打開廣闊空間。
前沿技術孕新機
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在半導體技術日新月異的當下，第三代半導體尤為“亮眼”，業(yè)內(nèi)觀點認為，隨著其應用鋪開，將給諸多產(chǎn)業(yè)帶來難以想象的革新。
科學技術部黨組成員、副部長相里斌介紹：“以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等方面的優(yōu)越性能，世界主要國家紛紛加速技術攻關和產(chǎn)業(yè)布局，國際上第三代半導體材料、器件實現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)模性量產(chǎn)的跨越，在移動通信、新能源汽車、高速列車、智能電網(wǎng)、新型顯示、通信傳感等領域的應用不斷擴大。”
對于這種世界前沿技術，我國在政策上的支持也不遺余力。據(jù)了解，長期以來科技部一直高度重視第三代半導體的技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間就開始率先支持第三代半導體材料和器件的研發(fā)，經(jīng)過四個五年計劃的持續(xù)支持，建立從材料、器件到應用的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。
“十五”開始，科技部支持半導體照明和氮化鎵微波射頻器件研發(fā)，目前半導體照明年產(chǎn)值已超過7000億元，年節(jié)電超2000億度；氮化鎵微波射頻器件作為移動通訊基站的關鍵零部件，為5G通訊產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展發(fā)揮重要作用。
此后，第三代半導體的應用領域更加廣泛，“十二五”期間支持的碳化硅和氮化鎵功率半導體，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)以及通用電源等領域已開始應用推廣；“十三五”期間支持的小間距LED已經(jīng)在新型顯示領域規(guī)模化應用。
產(chǎn)業(yè)鏈關鍵一環(huán)
如果從國家戰(zhàn)略層面出發(fā)分析產(chǎn)業(yè)結構，第三代半導體的重要地位不言而喻，隨著國際間產(chǎn)業(yè)競爭愈發(fā)激烈，半導體芯片成為必爭之地，這也讓構建我國碳化硅供應鏈以及高精尖技術國產(chǎn)化變得愈發(fā)重要，第三代半導體是加速國產(chǎn)替代中關鍵一環(huán)，通過進一步掌握核心關鍵技術，實現(xiàn)產(chǎn)品自主可控。
業(yè)內(nèi)觀點認為，我國在半導體領域需求龐大，市場潛力充足，可以通過技術迭代以及產(chǎn)能擴張，在第三代半導體領域形成優(yōu)勢。
針對我國第三代半導體的發(fā)展階段，相里斌表示：“總體上看，‘十三五’已基本解決了我國第三代半導體產(chǎn)品和相關裝備的‘有無’問題，‘十四五’將重點解決‘能用、好用’以及可持續(xù)創(chuàng)新能力問題?！?/p>
專家觀點認為，目前我國第三代半導體發(fā)展過程中仍有許多技術難題，需要集聚技術、人才等創(chuàng)新要素強化科技研發(fā)，更需要堅持開放創(chuàng)新，積極推動國際科技交流與合作。
具體而言，第三代半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模大，頭部企業(yè)創(chuàng)新引領作用強，所以在發(fā)展過程中，要充分發(fā)揮企業(yè)在技術創(chuàng)新決策、研發(fā)投入、科研組織和成果轉化中的主體作用，支持科技領軍企業(yè)牽頭布局，強化企業(yè)主導的產(chǎn)學研深度融合，推動高層次人才、項目、成果、設施平臺、資本等創(chuàng)新要素向企業(yè)聚集，提高創(chuàng)新整體效率。
在第三代半導體產(chǎn)業(yè)落地過程中，北京市順義區(qū)當仁不讓。據(jù)悉，目前順義區(qū)規(guī)劃了3000余畝土地作為核心承載區(qū)，現(xiàn)已開發(fā)利用400畝。規(guī)劃建設總面積約20萬平方米的三代半標廠，目前一期7.4萬平方米已投入使用，吸引4家企業(yè)入駐，二期6.6萬平方米正在建設。
與會專家認為，當前順義區(qū)通過持續(xù)不斷的基礎設施建設，令第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展要素一應俱全，在專項政策不斷出臺并持續(xù)優(yōu)化的背景下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈將在順義區(qū)更深扎根。
（文章來源：北京商報）
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